Avaliação e estudo de tecnologias de MOSFETs de Carbeto de Sílicio (SiC)

Inicialmente, foi realizada uma comparação entre diferentes encapsulamentos de MOSFETs SiC, sendo eles: TO247-3, que não possui tecnologia Kelvin; TO247-4, que possui tecnologia Kelvin; e TO263-7, que possui tecnologia Kelvin e múltiplos terminais de source. Nessa etapa, foi realizada uma comparação do comportamento de comutação desses dispositivos durante os processos de acionamento e desligamento.

Foram avaliadas quatro curvas: tensão entre gate e source (Vgs), tensão entre dreno e source (Vds), corrente entre dreno e source (Ids) e corrente de gate (Ig). Posteriormente, foram realizados estudos de caso especificamente para o dispositivo no encapsulamento TO263-7, com foco em dois parâmetros importantes: indutância parasita e a resistência de gate. É importante ressaltar que todos os dados foram obtidos por meio do software PSIM, uma ferramenta de simulação de circuitos eletrônicos amplamente utilizada na área de eletrônica de potência.